特許

J-GLOBAL ID：201203048745319711

電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法

発明者： 前田 文彦 ,  日比野 浩樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-079785
公開番号（公開出願番号）：特開2012-227520
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。【解決手段】基板101の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域102と、ゲート電極104およびゲート電極104を挟んでチャンネル領域102に接続されたソース電極105およびドレイン電極106とを備える。例えば、チャンネル領域102は、グラフェンが1層から4層程度積層されたものである。図1に示す例では、ゲート電極104は、チャンネル領域102にゲート絶縁層103を介して形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域と、 ゲート電極および前記ゲート電極を挟んで前記チャンネル領域に接続されたソース電極およびドレイン電極と を少なくとも備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203

FI (10件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 618A ,  C23C14/06 F ,  C23C14/28 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 M

Fターム (39件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029DA08 ,  5F045AA05 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AF02 ,  5F045CA05 ,  5F103AA04 ,  5F103AA05 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103LL08 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F110AA04 ,  5F110AA26 ,  5F110CC01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK50

引用特許：

審査官引用 (1件)

• グラファイト薄膜の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-120636   出願人：日本電信電話株式会社