特許
J-GLOBAL ID：201203048976331250
イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
西村 竜平
, 佐藤 明子
, 齊藤 真大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-273926
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124030
出願日： 2010年12月08日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】電子源から射出された電子が射出された電子源に入射するのを抑制するイオンビーム照射装置を提供する。【解決手段】イオンビームを偏向、集束又は発散させる磁石6の上流側及び/又は下流側に形成される磁場勾配領域K内に1又は複数の電子源11と、その近傍であって前記電子源の電子射出方向が遮られない位置に負電圧が印加された収束電極(集束電極)13を設ける。これにより、電子源から射出された電子は、磁場勾配領域内(XZ平面内)を移動しミラー効果により反射されて該磁場勾配領域内に閉じ込められるとともに、収束電極により集束され、更に、E×BドリフトによりXY平面にもジグザグ状に運動するので、電子を効率的に利用することができる。更に又、対向する電子源に進行する電子がE×Bドリフトにより進行方向がそれることになるので、対向する電子源に電子が入射したり、反射されて射出元の電子源に入射したりするのが抑制される。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
イオンビームをターゲットに照射するイオンビーム照射装置であって、
正イオンからなるイオンビームを生成するイオン源と、
前記イオン源と前記ターゲットの間に設けられ、前記イオン源から出たイオンビームを前記ターゲットに照射するために偏向、収束又は発散させる1又は複数の磁石と、
前記磁石のイオンビーム上流側及び/又は下流側に形成される磁場勾配領域内であり、且つ、前記イオンビームが通過する領域外に配置されており、前記磁場勾配領域に電子を供給する1又は複数の電子源と、
前記電子源の近傍において前記電子源の電子射出方向が遮られない位置に設けられており、負電圧が印加された収束電極と、を備えたことを特徴とするイオンビーム照射装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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