特許
J-GLOBAL ID：201203052005788820

光半導体素子およびその製造方法

発明者：
金子 俊光

金子 俊光 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-036376
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174938
出願日： 2011年02月22日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：
【課題】 光導波層の断熱性を効率よく高めることができる光半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 光半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、半導体中間層を形成する工程と、半導体中間層上に光導波層を含む半導体積層体を形成する工程と、その内面に半導体中間層が露出する溝を半導体積層体に形成する工程と、溝の内面に露出した半導体中間層を選択的ウェットエッチングによって除去することで、空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、半導体中間層を形成する工程と、 前記半導体中間層上に光導波層を含む半導体積層体を形成する工程と、 その内面に前記半導体中間層が露出する溝を前記半導体積層体に形成する工程と、 前記溝の内面に露出した前記半導体中間層を選択的ウェットエッチングによって除去することで、空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01S 5/026
FI (2件)：
H01S5/026 618 ,  H01S5/026 650
Fターム (10件)：
5F173AD15 ,  5F173AD30 ,  5F173AH03 ,  5F173AH14 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP45 ,  5F173AR06 ,  5F173AR61 ,  5F173AR73
引用特許：
審査官引用 (4件)
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