特許
J-GLOBAL ID：201203054740206471

円筒状のガス入口部品を有するMOCVD反応装置

発明者：
ブリーン、ダニエル

ブリーン、ダニエル について

, 
ショーン、オリバー

ショーン、オリバー について


出願人/特許権者：
アイクストロン、エスイー

アイクストロン、エスイー について


代理人 (3件)： 小島 高城郎 ,  河合 典子 ,  南 俊宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-541224
公開番号（公開出願番号）：特表2012-513669
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：
半導体層を堆積する装置に関し、中心11に対して回転対称に配置されたプロセスチャンバ1、サセプタ2、プロセスチャンバ天井部3、鉛直方向に重なるガス入口室8,9,10を有するガス入口部品4、サセプタ2の下方のヒーター27を有し、最上部のガス入口室8はプロセスチャンバ天井部3に隣接し搬送ガスとともに水素化物をプロセスチャンバ1に供給するために供給ライン14に接続され、最下部のガス入口室10はサセプタ2に隣接し搬送ガスとともに水素化物を供給するために供給ライン16に接続され、中間のガス入口室9は有機金属化合物を供給するために供給ライン15に接続される。ガス入口室8,9,10はプロセスチャンバ1に向かって環状壁22,23,24により閉鎖され、環状壁22,23,24は互いに近接して配置された多数のガス出口開口25を具備し、均一な外径を有し、突出部分がない。
請求項（抜粋）：
半導体層である多層を堆積するために、中心(11)に対して回転対称に配置されたプロセスチャンバ(1)を有し、前記プロセスチャンバが、 水平面内に設置されたサセプタ(2)により形成された底部と、 前記サセプタ(2)の鉛直方向上方に設置されたプロセスチャンバ天井部(3)と、 前記サセプタ(2)と前記プロセスチャンバ天井部(3)の間において前記中心(11)上に延在しかつ互いに鉛直方向に重なって設置されたガス入口室(8、9、10)を有するガス入口部品(4)と、 前記サセプタ(2)を加熱するために前記サセプタ(2)の鉛直方向下方に設置されたヒーター(27)と、を備え、 コーティングされる基板(5)を載置するために、前記サセプタ(2)上に前記ガス入口部品(4)から離れて配置された複数の基板ホルダ(5)が設けられ、 最上部のガス入口室(8)は前記プロセスチャンバ天井部(3)のすぐ隣に位置しかつ搬送ガスとともに水素化物を前記プロセスチャンバ(1)内に導入するために供給ライン(14)に接続され、 最下部のガス入口室(10)は前記サセプタのすぐ隣に位置しかつ搬送ガスとともに水素化物を前記プロセスチャンバ(1)内に導入するために供給ライン(16)に接続され、 前記最上部のガス入口室(8)及び前記最下部のガス入口室(10)の間に設置された少なくとも1つの中間のガス入口室(9)は有機金属化合物をプロセスチャンバ(1)内に導入するために供給ライン(15)に接続されている、装置において、 前記ガス入口室(8、9、10)は、環状体(22、23、24)により前記プロセスチャンバ(1)に向かって閉鎖されており、 前記環状壁(22、23、24)は、多数の近接したガス出口開口(25)を具備し、外直径が均一であり、かつ、外壁に突起が無くかつ外壁がプロセスチャンバ(1)に向いていることを特徴とする、半導体層である多層を堆積する装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34
Fターム (29件)：
4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045EE20 ,  5F045EF07 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EJ01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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