特許
J-GLOBAL ID：201203056732102295

多結晶シリコン製造装置

発明者：
宮澤 隆

宮澤 隆 について

, 
斎木 渉

斎木 渉 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-105640
公開番号（公開出願番号）：特開2011-256099
出願日： 2011年05月10日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】利用価値の高い高温の媒体で排熱回収するとともに、反応炉の壁からの不純物を抑制することができる多結晶シリコン製造装置を提供する。【解決手段】反応炉1内にシリコン化合物を含む原料ガスを供給するとともに、反応炉1内のシリコン芯棒4に通電して発熱させ、シリコン芯棒4の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコン製造装置であって、反応炉1のベルジャ3は周壁31を冷却するジャケット構造を備えており、空間部3a内に冷媒として水と水蒸気との沸騰二相流を流通させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応炉内にクロロシラン類等のシリコン化合物を含む原料ガスを供給するとともに、該反応炉内のシリコン芯棒に通電して発熱させ、該シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコン製造装置であって、 前記反応炉の反応室を形成する周壁およびこの周壁の外側を覆うジャケットを備え、これら周壁とジャケットとの間に冷媒として水が流通する冷却流路が形成されたベルジャと、 前記ベルジャに接続され、前記冷却流路に冷媒を供給する冷媒供給系と、 前記ベルジャに接続され、前記冷却流路から冷媒を回収する冷媒回収系と、 前記冷却流路内の圧力を制御する圧力制御部と、 前記冷媒の流量を制御する流量制御部と を備え、前記圧力および流量を制御することにより前記冷却流路内の冷媒を沸騰二相流として流通させることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。
IPC (1件)：
C01B 33/035
FI (1件)：
C01B33/035
Fターム (14件)：
4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ01 ,  4G072MM01 ,  4G072NN01 ,  4G072NN14 ,  4G072RR04 ,  4G072RR11 ,  4G072UU02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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