特許

J-GLOBAL ID：201203056746516700

単結晶シリコン薄膜の製造方法、単結晶シリコン薄膜デバイスの製造方法及び太陽電池デバイスの製造方法並びに単結晶シリコン薄膜及びそれを用いた単結晶シリコン薄膜デバイス及び太陽電池デバイス

発明者： 野田 優 ,  辻 佳子 ,  石橋 健一
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学 ,  株式会社半一
代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-046988
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186229
出願日： 2011年03月03日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】 ELOを利用して単結晶シリコン薄膜を製造するに際し、犠牲層のエッチングを容易にする単結晶シリコン薄膜の製造方法、単結晶シリコン薄膜デバイスの製造方法及び太陽電池デバイスの製造方法並びに単結晶シリコン薄膜及びそれを用いた単結晶シリコン薄膜デバイス及び太陽電池デバイスを提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板1の表面にシリコンに対してエッチング選択性を有し且つエピタキシャルな関係にある犠牲層2を設け、該犠牲層2上に単結晶シリコン薄膜40をエピタキシャル成長させ、該単結晶シリコン薄膜40に複数の貫通孔42を形成すると共に当該貫通孔42を介して前記犠牲層2をエッチングし、単結晶シリコン薄膜4を分離する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板の表面にシリコンに対してエッチング選択性を有し且つエピタキシャルな関係にある犠牲層を設け、 該犠牲層上に単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させ、 該単結晶シリコン薄膜に複数の貫通孔を形成すると共に当該貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングし、単結晶シリコン薄膜を分離する ことを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L27/12 Z ,  H01L31/04 X

Fターム (13件)：

5F151AA02 ,  5F151CB02 ,  5F151CB21 ,  5F152LL03 ,  5F152LL07 ,  5F152LL08 ,  5F152LM02 ,  5F152LM04 ,  5F152MM13 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ03