特許

J-GLOBAL ID：201203057838224108

半導体素子およびその製造方法

発明者： 藤原 章裕 ,  泊野 貴司 ,  松永 徳彦 ,  吉村 公孝 ,  近藤 且章
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-165583
公開番号（公開出願番号）：特開2012-028547
出願日： 2010年07月23日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：

【課題】実施形態は、素子領域が接合金属層を介して設けられた支持基板からチップを切り出す際に発生する、捲れ等の欠陥を抑制することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体素子は、支持基板と、前記支持基板の上に接合金属層を介して接続された積層体を有する半導体素子であって、前記積層体に含まれる最下層から最上層までを有する素子部と、前記素子部を囲んでその周辺に設けられた周辺部と、を備える。前記周辺部は、前記積層体に含まれる前記最下層から最上層までのうちの一部であって、前記接合金属層に接する半導体層の少なくとも一部を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板の上に接合金属層を介して接続された積層体と、を有する半導体素子であって、 前記積層体に含まれる最下層から最上層までを有する素子部と、 前記素子部を囲んでその周囲に設けられ、前記積層体に含まれる前記最下層から最上層までのうちの一部であって、前記接合金属層に接する半導体層の少なくとも一部を含む周辺部と、 を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (1件)：

H01L 33/30

FI (1件)：

H01L33/00 184

Fターム (6件)：

5F041AA41 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA76 ,  5F041CB15 ,  5F141AA41

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 発光装置及び発光装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-293272   出願人：日立電線株式会社