薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤原康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-045567
公開番号（公開出願番号）：特開2012-182388
出願日： 2011年03月02日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

【課題】低温プロセスで製造できる酸化物半導体を用いた高信頼性の薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に設けられ、インジウムを主成分とする酸化物で形成された半導体層140と、前記半導体層140のソース電極コンタクト領域およびドレイン電極コンタクト領域を除いた上面を覆う第1の絶縁膜と、少なくとも前記半導体層140の1対の側面を覆う、前記第1の絶縁膜と異なる条件で成膜された第2の絶縁膜と、前記絶縁膜上または前記半導体層140下に設けられたゲート電極120と、前記半導体層140のソース電極コンタクト領域上に設けられたソース電極161と、前記半導体層140のドレイン電極コンタクト領域上に設けられ、前記半導体層140の1対の側面を挟んで前記ソース電極161と対向するドレイン電極162と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられ、インジウムを主成分とする酸化物で形成された半導体層と、前記半導体層のソース電極コンタクト領域およびドレイン電極コンタクト領域を除いた上面を覆う第1の絶縁膜と、少なくとも前記半導体層の1対の側面を覆う、前記第1の絶縁膜と異なる条件で形成された第2の絶縁膜と、前記絶縁膜上または前記半導体層下に設けられたゲート電極と、前記半導体層のソース電極コンタクト領域上に設けられたソース電極と、前記半導体層のドレイン電極コンタクト領域上に設けられ、前記半導体層の1対の側面を挟んで前記ソース電極と対向するドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L29/78 617U , H01L29/78 617V , H01L29/78 627F

Fターム (44件)：

5F110AA21 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110NN02 , 5F110NN13 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタおよび表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-174469 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-255733 出願人：カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタ、その製造方法、表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-295853 出願人：株式会社東芝

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