炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-219348
公開番号（公開出願番号）：特開2012-072034
出願日： 2010年09月29日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：

【課題】種結晶の成長面に溝を形成することなく、高品質なSiC単結晶を成長させることができるSiC単結晶の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】種結晶30として、(0001)面から所定角度傾斜させた面を成長面30aとして有し、成長面30aに達する貫通転位31を含み、成長面30aのうち(0001)面の法線ベクトルを成長面30aに投影したベクトルの方向であるオフセット方向の端部に、成長中のSiC単結晶40に積層欠陥37を生成させる積層欠陥生成領域30bを有するものを準備する種結晶準備工程と、種結晶30の成長面30a上に、SiC単結晶40を成長させるSiC単結晶成長工程と、を含むことを特徴としている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

炭化珪素で構成された種結晶(30)を台座(10c)に接合し、前記種結晶(30)の成長面(30a)上に炭化珪素単結晶(40)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記種結晶(30)として、(0001)面から所定角度傾斜させた面を前記成長面30aとして有し、前記成長面(30a)に達する貫通転位(31)を含み、前記成長面(30a)のうち前記(0001)面の法線ベクトルを前記成長面(30a)に投影したベクトルの方向であるオフセット方向の端部に、成長中の前記炭化珪素単結晶(40)に積層欠陥(37)を生成する積層欠陥生成領域(30b)を有するものを準備する種結晶準備工程と、前記種結晶(30)の成長面(30a)上に、前記炭化珪素単結晶(40)を成長させる炭化珪素単結晶成長工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077EB01 , 4G077ED01 , 4G077ED02 , 4G077HA06 , 4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

SiC単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-054380 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社

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