特許

J-GLOBAL ID：200903015987919089

SiC単結晶の成長方法

発明者： 塩見 弘 ,  木本 恒暢 ,  松波 弘之
出願人/特許権者： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-054380
公開番号（公開出願番号）：特開2004-262709
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】結晶欠陥の低減及び大口径化が図られたSiC単結晶及びその成長方法を提供する。【解決手段】本発明に係るSiC単結晶の成長方法は、4H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の成長方法であって、{03-38}面、又は{03-38}面に対して約10 ゚以内のオフ角α1だけ傾いた面、が露出したSiC単結晶からなる種結晶30上に、4H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させたSiC単結晶インゴットを斜め切りして作製された、{0001}面、又は{0001}面に対して約10 ゚以内のオフ角α2だけ傾いた面、が露出する種結晶46上に、4H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させることを特徴とする。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

4H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の成長方法であって、 {03-38}面、又は{03-38}面に対して約10 ゚以内のオフ角α1だけ傾いた面、が露出したSiC単結晶からなる第1の種結晶上に、4H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させたSiC単結晶インゴットを用意するステップと、 前記SiC単結晶インゴットを斜め切りして、{0001}面、又は{0001}面に対して約10 ゚以内のオフ角α2だけ傾いた面が露出する第2の種結晶を作製するステップと、 前記第2の種結晶上の露出面に4H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させるステップとを備える、SiC単結晶の成長方法。

IPC (1件)：

C30B29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077ED05 ,  4G077SA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-286956   出願人：新日本製鐵株式会社
• SiC半導体のイオン注入層及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060380   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社