特許
J-GLOBAL ID：201203063491274460

帯電装置、帯電装置の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置

発明者：
河合 剛志

河合 剛志 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-222904
公開番号（公開出願番号）：特開2012-078518
出願日： 2010年09月30日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：
【課題】清掃能力に優れた画像形成装置用の清掃部材を提供すること。【解決手段】帯電ロール10と、芯体18とシリコーンオイルを含み芯体18の外周面に螺旋状に配置された弾性層20とを有するクリーニングロール12と、を備え、初期状態でのクリーニングロール12の弾性層20と初期状態での帯電ロール10とを24時間接触させた後における、接触部におけるシロキサン骨格を構成するSi原子の含有量と、非接触部における前記シロキサン骨格を構成するSi原子の含有量との最大値が6原子%以下である、帯電装置1である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
帯電部材と、 芯体とシリコーンオイルを含み前記芯体の外周面に螺旋状に配置された弾性層とを有する帯電部材清掃部材と、を備え、 初期状態での前記帯電部材清掃部材の前記弾性層と初期状態での前記帯電部材とを24時間接触させた後に、前記帯電部材の表面をX線光電子分光分析により分析して得られた、全原子に対するシロキサン骨格を構成するSi原子の含有量のうち、前記弾性層と接触していた領域である接触部における前記シロキサン骨格を構成するSi原子の含有量、及び前記弾性層と接触していなかった領域である非接触部における前記シロキサン骨格を構成するSi原子の含有量の最大値が6原子%以下である、帯電装置。
IPC (2件)：
G03G 15/02 ,  G03G 21/10
FI (2件)：
G03G15/02 103 ,  G03G21/00 310
Fターム (29件)：
2H134GA02 ,  2H134HA01 ,  2H134HA05 ,  2H134HA10 ,  2H134HA17 ,  2H134KD04 ,  2H134KD08 ,  2H134KE07 ,  2H134KJ02 ,  2H200HA02 ,  2H200HA28 ,  2H200HB12 ,  2H200HB22 ,  2H200HB47 ,  2H200LB02 ,  2H200LB08 ,  2H200LB15 ,  2H200LB35 ,  2H200LB37 ,  2H200LC03 ,  2H200LC08 ,  2H200MA02 ,  2H200MA03 ,  2H200MA08 ,  2H200MA20 ,  2H200MC01 ,  2H200MC02 ,  2H200MC06 ,  2H200MC20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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