特許
J-GLOBAL ID:201203064388361386

配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 住吉 秀一 ,  宮城 康史 ,  茜ヶ久保 公二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-068642
公開番号(公開出願番号):特開2012-204662
出願日: 2011年03月25日
公開日(公表日): 2012年10月22日
要約:
【課題】平坦性によるインピーダンス整合及び設計自由度が高く、高密度実装が可能な多層配線基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供する。【解決手段】多層配線基板10は、基板11の上部に絶縁層12を備え、これと対称に基板11の下部に絶縁層13を備える。これらの絶縁層は、ポリイミド樹脂により形成されており、基板11に対してキャスティングによりビルドアップして形成される。ビルドアップされた絶縁層12,13のいずれか又は両方が、基板の流れ方向であるMD方向と、基板の垂直方向であるTD方向とにおいて強度を同じに設定している。【選択図】図2
請求項(抜粋):
ベースとなる樹脂製の基板と、 前記基板上に形成された配線パターンと、 前記配線パターンの一部をビルドアップして形成した絶縁層と、を有し、 前記絶縁層は、MD方向及びTD方向において強度が同じであることを特徴とする多層配線基板。
IPC (3件):
H05K 3/46 ,  H05K 3/22 ,  H01L 23/12
FI (5件):
H05K3/46 B ,  H05K3/46 N ,  H05K3/22 C ,  H05K3/46 Z ,  H01L23/12 N
Fターム (46件):
5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343AA19 ,  5E343AA33 ,  5E343BB24 ,  5E343BB43 ,  5E343BB44 ,  5E343BB45 ,  5E343BB52 ,  5E343BB71 ,  5E343CC62 ,  5E343DD25 ,  5E343DD33 ,  5E343DD76 ,  5E343EE22 ,  5E343ER12 ,  5E343GG02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC12 ,  5E346CC13 ,  5E346CC14 ,  5E346CC32 ,  5E346CC52 ,  5E346DD03 ,  5E346DD17 ,  5E346DD22 ,  5E346DD33 ,  5E346EE31 ,  5E346FF03 ,  5E346FF04 ,  5E346FF07 ,  5E346FF13 ,  5E346FF23 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG19 ,  5E346GG22 ,  5E346HH03 ,  5E346HH11
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 多層配線基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-119916   出願人:株式会社日本触媒
  • 配線基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-155727   出願人:関西日本電気株式会社

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