特許
J-GLOBAL ID：201203065292363660
光センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 篤
, 伊坪 公一
, 樋口 外治
, 小林 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-271261
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124197
出願日： 2010年12月06日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】積層された2つの光吸収層を有し、光吸収層の面積が大きい光センサを提供する。【解決手段】光センサ10は、支持層11と第1電極層12aと第1光吸収層13aと第2電極層12bと第2光吸収層13bとが順番に積層されており、第1光吸収層13a及び第2電極層12b及び第2光吸収層13bを第1領域R1及び第2領域R2に分離する分離層14と、第1領域R1の第2電極層12bと接続する第1電極20aと、第2領域R2の第2電極層12bと接続する第2電極20bと、第1領域R1及び第2領域R2の第2光吸収層13bそれぞれと接続する第3電極20cと、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
支持層と、
前記支持層上に配置された第1電極層と、
前記第1電極層上に配置された第1光吸収層と、
前記第1光吸収層上に配置された第2電極層と、
前記第2電極層上に配置された第2光吸収層と、
前記第1光吸収層及び前記第2電極層及び前記第2光吸収層を第1領域及び第2領域に分離する分離層と、
前記第1領域の前記第2電極層と接続する第1電極と、
前記第2領域の前記第2電極層と接続する第2電極と、
前記第1領域の前記第2光吸収層及び前記第2領域の前記第2光吸収層と接続する第3電極と、
を備える光センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F088AA20
, 5F088AB07
, 5F088BA01
, 5F088BB03
, 5F088DA17
, 5F088DA20
, 5F088EA04
, 5F088EA14
, 5F088FA05
, 5F088FA09
, 5F088FA11
, 5F088GA05
, 5F088HA09
, 5F088LA01
