特許

J-GLOBAL ID：201203065458234448

エレクトロクロミック装置、記憶装置及びその製造方法

発明者： 陳 貞夙 ,  ▲う▼ 偉庭 ,  ▲う▼ 季珍 ,  江 昆鏗
出願人/特許権者： 國立成功大學
代理人 (9件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-001980
公開番号（公開出願番号）：特開2012-150471
出願日： 2012年01月10日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：

【課題】本発明の主な目的は、エレクトロクロミック装置、記憶装置及びその製造方法を提供することにより、メモリ機能を有しており、記憶装置は、2個以上のメモリ構成を有して、メモリ密度を大幅に向上させることができる。【解決手段】本発明は、エレクトロクロミック装置を提供する。前記エレクトロクロミック装置は、第一基板と、エレクトロクロミック層と、電極と、電解質層と、第二基板と、を含む。前記エレクトロクロミック層は、前記第一基板に形成される。前記電極は、前記エレクトロクロミック層に配置される。前記電解質層は、前記電極と前記第二基板との間に配置される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一基板と、 前記第一基板に形成されるエレクトロクロミック層と、 前記エレクトロクロミック層に配置される電極と、 第二基板と、 前記電極と前記第二基板との間に配置される電解質層と、を含むことを特徴とするエレクトロクロミック装置。

IPC (3件)：

G02F 1/15 ,  G02F 1/155 ,  G11B 9/04

FI (4件)：

G02F1/15 506 ,  G02F1/15 508 ,  G02F1/155 ,  G11B9/04

Fターム (21件)：

2K101AA22 ,  2K101DA01 ,  2K101DB03 ,  2K101DB05 ,  2K101DB33 ,  2K101DC04 ,  2K101DC12 ,  2K101DC43 ,  2K101DC44 ,  2K101DC53 ,  2K101EB01 ,  2K101EB83 ,  2K101EC02 ,  2K101ED11 ,  2K101ED41 ,  2K101EG26 ,  2K101EG52 ,  2K101EG54 ,  2K101EJ13 ,  2K101EJ33 ,  2K101EK32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 表示装置および表示素子駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-330618   出願人：株式会社東芝
• エレクトロクロミック素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-127278   出願人：東燃株式会社