特許
J-GLOBAL ID：201203066365815650
半導体装置、及びデータ生成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-089080
公開番号（公開出願番号）：特開2012-220437
出願日： 2011年04月13日
公開日（公表日）： 2012年11月12日
要約：
【課題】テスト工程におけるテスト温度の点数を抑えつつ、温度センサの温度検知精度の向上を図る。【解決手段】半導体装置(1、2、3)は、温度センサ部(100)で測定された温度データと温度との対応関係を表す特性関数における所定の温度での温度データの理論値とN(Nは1以上の整数)点の温度において測定されたN個の温度データの実測値とを含むN+1個の温度データに基づいて、前記特性関数をN次近似した補正関数のN次までの係数を算出する係数算出部(104、204)と、前記温度センサ部で測定された温度データに基づいて、前記算出された係数を適用した前記補正関数を用いて演算を実行し、温度の情報を含むデータを生成する補正演算部(105、205、305)と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
温度センサ部と、
前記温度センサ部で測定された温度データと温度との対応関係を表す特性関数における所定の温度での温度データの理論値と、N(Nは1以上の整数)点の温度において前記温度センサ部によって測定されたN個の温度データの実測値と、を含むN+1個の温度データに基づいて、前記特性関数をN次近似した補正関数のN次までの係数を算出する係数算出部と、
前記温度センサ部から出力された温度データに基づいて、前記算出された係数を適用した前記補正関数を用いて演算を実行し、温度の情報を含むデータを生成する補正演算部と、を有する半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01K7/00 321C
, G01K7/00 391C
