特許
J-GLOBAL ID：201203068219772950
SiC単結晶、SiCウェハ及び半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
畠山 文夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-109773
公開番号（公開出願番号）：特開2012-240859
出願日： 2011年05月16日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：
【課題】基底面転位が高度に配向しているSiC単結晶、並びに、このようなSiC単結晶から製造されるSiCウェハ及び半導体デバイスを提供すること。【解決手段】基底面転位の直線性が高く、基底面転位が結晶学的に等価な3つの<11-20>方向に配向している1又は2以上の配向領域を有するSiC単結晶、並びに、このようなSiC単結晶から製造されるSiCウェハ及び半導体デバイス。このようなSiC単結晶は、{0001}面最上位部側のオフセット角が小さく、かつオフセット方向下流側のオフセット角が大きい種結晶を用い、この種結晶の上に新たな結晶を成長させることにより製造することができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
以下の構成を備えたSiC単結晶。
(1)前記SiC単結晶は、基底面転位の直線性が高く、前記基底面転位が結晶学的に等価な3つの<11-20>方向に配向している少なくとも1以上の配向領域を有する。
(2)前記「配向領域」とは、以下の手順により判定される領域をいう。
(a)前記SiC単結晶から、{0001}面に略平行なウェハを切り出す。
(b)前記ウェハに対して透過配置によるX線トポグラフ測定を行い、結晶学的に等価な3つの{1-100}面回折に対応するX線トポグラフ像を撮影する。
(c)3つの前記X線トポグラフ像を、それぞれ、画像内の各点の輝度を数値化したデジタル画像に変換し、3つの前記デジタル画像を、それぞれ、1辺の長さLが10±0.1mmである正方形の測定領域に区画する。
(d)ウェハ上の同一領域に対応する3つの前記測定領域中の前記デジタル画像に対して2次元フーリエ変換処理を行い、パワースペクトル(フーリエ係数の振幅Aのスペクトル)を得る。
(e)3つの前記パワースペクトルを、それぞれ極座標関数化し、平均振幅Aの角度(方向)依存性の関数Aave.(θ)を求める(0°≦θ≦180°)。
(f)3つの前記Aave.(θ)の積算値A'ave.(θ)をグラフ化(x軸:θ、y軸:A'ave.)し、3つの前記<1-100>方向に相当する3つのθi(i=1〜3)において、それぞれ、バックグラウンドB.G.(θi)に対するピーク値A'ave.(θi)の比(=A'ave.(θi)/B.G.(θi)比)を算出する。
(g)3つの前記A'ave.(θi)/B.G.(θi)比がすべて1.1以上であるときは、3つの前記測定領域に対応する前記ウェハ上の領域を「配向領域」と判定する。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077AB08
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077ED02
, 4G077FG13
, 4G077FG16
, 4G077GA03
, 4G077GA06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
