炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、および薄膜エピタキシャルウェハ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-044305
公開番号（公開出願番号）：特開2006-225232
出願日： 2005年02月21日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】マイクロパイプ及び転位欠陥の少ない良質の大口径{0001}面ウェハを再現性良く低コストで製造し得るSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】{0001}面から20°以上90°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて炭化珪素単結晶インゴットを成長し、その成長した炭化珪素単結晶インゴットから再び{0001}面から20°以上90°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を切り出し、炭化珪素単結晶成長を複数回繰返す炭化珪素単結晶インゴットの製造方法において、第(n-1)成長工程で使用した種結晶の傾斜面の傾斜方向と第n成長工程で使用する種結晶の傾斜面の傾斜方向との{0001}面内における角度差が45°以上135°以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶よりなる種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてバルク状の炭化珪素単結晶インゴットを製造する製造方法において、該製造方法はN回(Nは、N≧2の自然数)の成長工程を含み、各成長工程を第n成長工程(nは自然数であって1から始まりNで終わる序数)として表した場合、{0001}面から20°以上90°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて炭化珪素単結晶インゴットを成長させ、その成長した単結晶インゴットから再び{0001}面から20°以上90°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を切り出し、炭化珪素単結晶成長をN回繰返す炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、第(n-1)成長工程で使用した種結晶の傾斜面の傾斜方向と第n成長工程で使用する種結晶の傾斜面の傾斜方向との{0001}面内における角度差が45°以上135°以下である炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 , H01L 21/205

FI (2件)：

C30B29/36 A , H01L21/205

Fターム (13件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB09 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077FJ06 , 5F045AB06 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045DA67 , 5F045DQ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

SiC単結晶およびその成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-098148 出願人：新日本製鐵株式会社
SiC単結晶及びその製造方法並びにSiC種結晶及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-315367 出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

審査官引用 (4件)

SiC単結晶及びその製造方法,エピタキシャル膜付きSiCウエハ及びその製造方法,並びにSiC電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-128725 出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
炭化珪素単結晶の製造方法およびそれに用いる種結晶
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-202164 出願人：新日本製鐵株式会社
種結晶とそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶体および単結晶製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-171134 出願人：株式会社デンソー

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