特許
J-GLOBAL ID：201203073909738758
半導体パッケージとそれを用いた携帯通信機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-155437
公開番号（公開出願番号）：特開2012-039104
出願日： 2011年07月14日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：
【課題】半導体パッケージからの不要電磁波の漏洩を抑制すると共に、シールド層とインターポーザ基板のグランド配線との密着性を向上させた半導体パッケージを提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体パッケージ1はインターポーザ基板2上に搭載された半導体チップ4と、封止樹脂層5およびインターポーザ基板2の側面の少なくとも一部を覆う導電性シールド層7とを具備する。インターポーザ基板2は絶縁基材21を貫通する複数のビア24を有する。複数のビア24の一部(24A)は、インターポーザ基板2の側面に露出し、かつインターポーザ基板2の厚さ方向に切断された切断面Cを有する。ビア24Aの切断面Cは、導電性シールド層7と電気的に接続されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の面と第2の面とを有する絶縁基材と、前記絶縁基材の前記第1の面に形成された第1の配線層と、前記絶縁基材の前記第2の面に形成された第2の配線層と、前記絶縁基材を貫通するように形成された複数のビアとを備えるインターポーザ基板と、
前記第1の配線層を有する前記インターポーザ基板の第1の面に設けられた外部接続端子と、
前記第2の配線層を有する前記インターポーザ基板の第2の面上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップを封止するように、前記インターポーザ基板の前記第2の面上に設けられた封止樹脂層と、
前記封止樹脂層と前記インターポーザ基板の側面の少なくとも一部を覆うように設けられた導電性シールド層とを具備し、
前記複数のビアの一部は、前記インターポーザ基板の側面に露出し、かつ前記インターポーザ基板の厚さ方向に切断された切断面を有し、
前記ビアの切断面は、前記導電性シールド層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 23/12
, H01L 23/00
H01L23/28 F
, H01L23/12 E
, H01L23/00 A
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA21
, 4M109DB15
, 4M109EC07
, 4M109EE07
, 4M109GA10
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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