特許
J-GLOBAL ID:201203075212687813
固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
稲本 義雄
, 西川 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-279509
公開番号(公開出願番号):特開2012-129799
出願日: 2010年12月15日
公開日(公表日): 2012年07月05日
要約:
【課題】撮像画像の高画質化を図る。【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード61と、フォトダイオード61に蓄積された電荷を浮遊拡散領域63に転送する転送ゲート62と、浮遊拡散領域63の電荷をリセットするリセットトランジスタ64とを少なくとも備える複数の単位画素50が2次元に配列されている。そして、CMOSイメージセンサにおいては、転送ゲート62による電荷転送前に、画素アレイ部において互いに隣接しない複数の行毎に、リセットトランジスタ64による浮遊拡散領域63の電荷をリセットするように単位画素の駆動が制御される。本発明は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
光電変換部と、前記光電変換部に蓄積された電荷を電荷保持部に転送する転送手段と、前記電荷保持部の電荷をリセットするリセット手段とを少なくとも備える複数の単位画素が2次元に配列された画素アレイ部と、
前記単位画素の駆動を制御する駆動制御手段と
を備え、
前記駆動制御手段は、前記転送手段による電荷転送前に、画素アレイ部において互いに隣接しない複数の行毎に、前記リセット手段による前記電荷保持部の電荷をリセットするように前記単位画素の駆動を制御する
固体撮像素子。
IPC (3件):
H04N 5/357
, H04N 5/374
, H01L 27/146
FI (3件):
H04N5/335 570
, H04N5/335 740
, H01L27/14 A
Fターム (13件):
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 5C024AX01
, 5C024CX03
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024HX29
, 5C024HX40
引用特許:
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