特許

J-GLOBAL ID：201203075693445699

有機半導体材料並びに有機半導体装置及びその製造方法

発明者： 小川 智 ,  吉本 則之 ,  藤代 博之
出願人/特許権者： 国立大学法人岩手大学
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-182792
公開番号（公開出願番号）：特開2012-043921
出願日： 2010年08月18日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】大気中あるいは溶媒中で長期に渡り安定であり、トランジスタの半導体材料として使用でき、大気中で保存、測定しても長期に渡り当初の性能を維持することができ、薄膜の形成を行う場合に凹凸が少なく優れたトランジスタ性能を達成することが可能な有機半導体材料を提供する。【解決手段】下記の式で表される有機半導体材料。R1は、水素、ブチル基、ヘキシル基又はブチル基である。R2は、水素、ブチル基、ヘキシル基又はブチル基である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記の式1の表される有機半導体材料。 (式1)

IPC (3件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B

Fターム (18件)：

4C071AA01 ,  4C071BB01 ,  4C071CC22 ,  4C071DD04 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071JJ01 ,  4C071LL10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• チオフェン電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-321629   出願人：ゼロックスコーポレイション

審査官引用 (1件)

• チオフェン電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-321629   出願人：ゼロックスコーポレイション

引用文献：

出願人引用 (1件)

• “Synthesis, Structures, and Properties of Fused Thiophenes for Organic Field-Effect Transistors"

審査官引用 (1件)

• “Synthesis, Structures, and Properties of Fused Thiophenes for Organic Field-Effect Transistors"