特許
J-GLOBAL ID：201203076764864473
有機EL装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-228321
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084306
出願日： 2010年10月08日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】有機EL素子自体、とくにその一部を構成する電子注入層が劣化しにくく、また、高いガスバリア性を備え、フィルムを屈曲させたときにもガスバリア性が低下しにくく、簡易な工程で短時間で形成することが可能なフィルムを備える有機EL装置を提供する。【解決手段】有機EL素子と、第1のフィルムとを有する有機EL装置であって、前記電子注入層はイオン性ポリマーを含み、前記第1のフィルムは、珪素、酸素及び炭素を含有するガスバリア層を有しており、前記ガスバリア層は、珪素原子の量の比率(珪素の原子比)、酸素原子の量の比率(酸素の原子比)及び炭素原子の量の比率(炭素の原子比)と、膜厚方向における前記ガスバリア層の一方の表面からの距離との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が条件(i)〜(iii)を満たす、有機EL装置に関する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一対の電極、前記電極間に設けられる発光層、および前記電極間に設けられる電子注入層を有する有機EL素子と、第1のフィルムとを有する有機EL装置であって、
前記電子注入層はイオン性ポリマーを含み、
前記第1のフィルムは、珪素、酸素及び炭素を含有するガスバリア層を有しており、
前記ガスバリア層は、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率(珪素の原子比)、酸素原子の量の比率(酸素の原子比)及び炭素原子の量の比率(炭素の原子比)と、膜厚方向における前記ガスバリア層の一方の表面からの距離との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が下記条件(i)〜(iii)を満たす、有機EL装置。
(i)ガスバリア層の膜厚方向の90%以上の領域において、珪素、酸素および炭素の原子比のうちで、珪素の原子比が2番目の値であること
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が5at%以上であること
IPC (4件)：
H05B 33/04
, H05B 33/02
, H01L 51/50
, H05B 33/10
H05B33/04
, H05B33/02
, H05B33/14 A
, H05B33/22 B
, H05B33/10
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107CC23
, 3K107CC43
, 3K107CC45
, 3K107DD16
, 3K107DD17
, 3K107DD18
, 3K107DD19
, 3K107DD74
, 3K107DD79
, 3K107EE45
, 3K107EE46
, 3K107EE48
, 3K107EE50
, 3K107FF14
, 3K107GG28
, 3K107GG37
, 3K107GG41
, 3K107GG52
