特許
J-GLOBAL ID：201203076968277194
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-024621
公開番号（公開出願番号）：特開2012-185484
出願日： 2012年02月08日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：
【解決手段】マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩と、水、アルコール類、エステル類、エーテル類等から選ばれる1種以上を溶剤として含むレジスト材料。【効果】解像性とエッジラフネスが良好な特性を示す。従って、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、EB、EUV露光用のパターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料とすることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1〜20の1〜4価のカルボン酸塩と、水、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-2-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、1-ヘプタノール、シクロヘキサノール、オクタノール、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、プロピレングリコール、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ブタンジオールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメトキシメチルエーテル、プロピレングリコールモノアセテート、ジアセトンアルコール、アリルアルコール、プロパギルアルコール、3-メチル-1-ペンチン-3-オール、3-メチル-1-ブチン-3-オール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及びグリシドールから選ばれる1種以上を溶剤として含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (5件)：
G03F 7/004
, G03F 7/038
, G03F 7/32
, G03F 7/075
, H01L 21/027
G03F7/004 501
, G03F7/038 505
, G03F7/32
, G03F7/075 511
, H01L21/30 502R
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096EA06
, 2H096GA09
, 2H125AE04P
, 2H125AF17P
, 2H125AF38P
, 2H125AM12P
, 2H125AM15P
, 2H125AM61P
, 2H125AM86P
, 2H125AN11P
, 2H125AN26P
, 2H125AN35P
, 2H125AN36P
, 2H125AN37P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN47P
, 2H125AN49P
, 2H125AN57P
, 2H125AN80P
, 2H125AP01P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB16
, 2H125CC01
, 2H125CD08P
, 2H125CD38
, 2H125CD40
