特許
J-GLOBAL ID：201203078837060745
CMOS撮像装置アレイの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-160732
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033928
出願日： 2011年07月22日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】画素間のクロストークが小さく、優れた量子効率を持つCMOS撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】CMOS撮像装置のための光検出器アレイまたは画素アレイを製造する方法であって、複数の高アスペクト比のトレンチを基板の正面側に形成するステップと、複数のフォトダイオードを基板の正面側に形成し、複数のフォトダイオードの各々が基板の正面に対して平行な面内で高アスペクト比のトレンチによって囲まれるようにするステップとを含む。トレンチをクリーニングするため、酸化物層を複数のトレンチの内壁に形成し、そして複数のトレンチの内壁から酸化物層を除去する。トレンチは高ドープ材料で充填し、基板は裏面から薄型化する。このクリーニングは、側壁を通過する拡散を制限し、トレンチ側壁での不要な電荷キャリア再結合を生じさせ、画素間のクロストークをもたらす欠陥、残留物、不純物をトレンチ側壁から除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
CMOS撮像装置のための光検出器アレイまたは画素アレイを製造する方法であって、
所定のトレンチ深さを有する複数の高アスペクト比のトレンチを、基板の正面側に形成するステップと、
複数のフォトダイオードを基板の正面側に形成し、複数のフォトダイオードの各々が基板の正面に対して平行な面内で高アスペクト比のトレンチによって囲まれるようにするステップと、
酸化工程を実施し、酸化物層を複数のトレンチの内壁に形成するステップと、
複数のトレンチの内壁から酸化物層を除去するステップと、
複数のトレンチを高ドープ材料で充填するステップと、
基板を、裏面から所定の最終基板厚さまで薄型化するステップとを含む方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H04N 5/359
, H04N 5/374
H01L27/14 A
, H04N5/335 590
, H04N5/335 740
4M118AA05
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA26
, 4M118FA27
, 4M118FA33
, 4M118GA02
, 5C024AX01
, 5C024CX11
, 5C024CY47
, 5C024GX04
, 5C024GX24
, 5C024GY31
