特許
J-GLOBAL ID：201203079279422712
不揮発性抵抗変化素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-109820
公開番号（公開出願番号）：特開2012-243820
出願日： 2011年05月16日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：
【課題】抵抗を可逆的に変化させことを可能としつつ、データ保持特性を向上させる不揮発性抵抗変化素子を提供する。【解決手段】第1電極1と、第2電極3と、可変抵抗層2とを備え、第2電極3は、Al元素が添加された1B族元素を有し、可変抵抗層2は、第1電極1と第2電極3との間に配置され、シリコン元素を有する。可変抵抗層2は非晶質シリコン層であってもよいし、多結晶シリコン層であってもよいし、単結晶シリコン層であってもよい。第1電極1は不純物ドープシリコンおよびTi、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、W、Hf、Ta、Pt、Ru、ZrまたはIrや、その窒化物あるいは炭化物あるいはカルコゲナイド材料などを用いることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、
Al元素が添加された1B族元素を有する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、シリコン元素を有する可変抵抗層とを備えることを特徴とする不揮発性抵抗変化素子。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083PR36
