特許
J-GLOBAL ID：201203080586340691
低抵抗キャップ構造を有する磁気読取りセンサを製造する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008522
公開番号（公開出願番号）：特開2012-150878
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】低抵抗キャップ構造を有する磁気読取りセンサを製造する方法を提供する。【解決手段】センサのキャッピング層内での酸化物形成をなくすことによって、センサの面積抵抗を減少させ、MR比を減少させる磁気センサを製造する方法。本方法は、センサ積重体を覆って形成された多層キャッピング構造を有する、センサ積重体を形成することを含む。多層キャッピング構造は、第1、第2、第3、および第4の層を含みうる。第2の層は、容易に酸化されず、第1の層と異なる材料から構成される。センサは、炭素ハードマスクを含むマスクを使用して形成されうる。センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。その後、除去プロセスが、第2の層の存在を検出する2次イオン質量分析などの終点検出方法を使用して、キャッピング層構造の第2、第3、第4の層を除去するために実施される。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
キャッピング層で覆われたセンサ積重体を形成するステップであって、前記キャッピング層は、Ruを含む第1の層と、前記第1の層を覆って形成される、容易に酸化されない材料を含む第2の層と、前記第2の層を覆って形成される第3の層と、前記第3の層を覆って形成される第4の層と、を含む、ステップと、
前記第2、第3、および第4の層を除去する除去プロセスを実施するステップであって、前記第1の層の少なくとも一部分が残る、ステップと、
を含む、磁気センサを製造する方法。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, H01L 43/08
, H01L 43/10
G11B5/39
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
5D034BA03
, 5D034BA12
, 5D034BA15
, 5D034BA21
, 5D034BB08
, 5D034CA00
, 5D034DA07
, 5F092AA02
, 5F092AB03
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB17
, 5F092BB53
, 5F092BB75
, 5F092BB81
, 5F092BC07
, 5F092BC22
, 5F092BE27
, 5F092GA01
