特許
J-GLOBAL ID：200903048928438684
磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-175640
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005356
出願日： 2005年06月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 より高い抵抗変化率を発現する磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。【解決手段】 磁気メモリ構造36におけるMTJ素子37は、フリー層50の側から順に内部拡散バリア層511と酸素吸着層512と上部金属層513とが積層されてなるキャップ層51を有している。酸化吸着層512がフリー層50に含まれる酸素原子を吸着することにより、MTJ素子37の抵抗変化率が向上する。また内部拡散バリア層511によって、酸素吸着層512を構成する材料の、フリー層50への拡散が抑制されるので、磁歪定数が減少し、ねじれ(kink)や渦(vortex)のない良好な磁化曲線(R-H曲線)が確保される。したがって、高集積化した場合であっても高精度かつ高感度なスイッチング特性を得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
スピン偏極した磁化自由層と、
前記磁化自由層の側から酸素吸着層と金属層とが順に積層されたキャップ層と
を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/10
, H01L 27/105
, H01L 21/824
H01L43/08 H
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA60
, 5F083PR22
, 5F083PR40
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (13件)
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