高スループットマルチウェハエピタキシャルリアクタ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山川政樹 , 山川茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-552160
公開番号（公開出願番号）：特表2012-518917
出願日： 2010年02月25日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：

複数のウェハ上に薄膜を同時に堆積できるようにするエピタキシャルリアクタを開示する。堆積中、狭い間隔で配置された複数のウェハキャリアプレートを含むウェハスリーブ内に複数のウェハを収容してプロセス容積を最小限に抑える。プロセスガスをウェハスリーブの内部容積に優先的に流入させ、これを1又はそれ以上のランプモジュールによって加熱する。パージガスをリアクタチャンバ内のウェハスリーブの外側に流してチャンバの壁への堆積を最小限に抑える。また、ランプモジュール内の個々のランプの照射のシーケンシングにより、ウェハスリーブ内の堆積速度の変化の直線性をさらに改善することができる。均一性を改善するために、プロセスガス流の方向をクロスフロー構成に変更することができる。複数のリアクタシステム内でランプシーケンシングをクロスフロー処理と組み合わせることにより、膜が良好に均一化した高スループットの堆積及びプロセスガスの効率的使用が可能となる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

複数のウェハを同時に処理するためのリアクタであって、リアクタフレームと、前記リアクタフレームに取り付けられた第1の平面加熱モジュールと、ウェハスリーブと、を含み、前記ウェハスリーブが、一対の狭い間隔で配置された平行なウェハキャリアプレートと、前記複数のウェハが、前記一対のウェハキャリアプレートの両方の内面に装着され、前記リアクタが、前記ウェハスリーブを前記リアクタ内を通して移送するための経路を提供するように構成され、前記ウェハキャリアプレートが、前記第1の平面加熱モジュールに平行であり、前記ウェハスリーブが、前記経路の一部に沿って前記リアクタ内の前記第1の平面加熱モジュールからの放射に曝される、ことを特徴とするリアクタ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/46 , C23C 16/455 , H01L 21/683

FI (4件)：

H01L21/205 , C23C16/46 , C23C16/455 , H01L21/68 N

Fターム (57件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030GA13 , 4K030KA08 , 4K030KA23 , 4K030KA26 , 4K030KA46 , 4K030LA16 , 5F031CA02 , 5F031DA05 , 5F031FA03 , 5F031HA37 , 5F031MA28 , 5F031NA05 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC05 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB08 , 5F045CA13 , 5F045DP13 , 5F045DP18 , 5F045DQ10 , 5F045DQ15 , 5F045EB13 , 5F045EC02 , 5F045EC03 , 5F045EE20 , 5F045EF09 , 5F045EJ06 , 5F045EJ09 , 5F045EJ10 , 5F045EK14 , 5F045EK22 , 5F045EK30 , 5F045EM09 , 5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-183863
薄膜作成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-374422 出願人：アネルバ株式会社
半導体基板の熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-052307 出願人：国際電気株式会社

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