特許

J-GLOBAL ID：201203081448828248

半導体発光装置

発明者： 田中 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-098090
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231000
出願日： 2011年04月26日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第1導電形の第1半導体層であって、前記第1半導体層の他の部分よりも層厚が薄い複数の薄層部を有する前記第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。そして、前記発光層とは反対側の前記第1半導体層の表面の上に設けられた透明電極と、前記透明電極の上に選択的に設けられた第1電極と、前記発光層とは反対側の前記第2半導体層の表面に接した第2電極と、前記透明電極と前記第2電極との間の電流経路の一部を遮断する電流ブロック層であって、前記第1半導体層の表面に平行な平面視において、前記薄層部に重ならない前記電流ブロック層と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電形の第1半導体層であって、前記第1半導体層の他の部分よりも層厚が薄い複数の薄層部を有する前記第1半導体層と、 第2導電形の第2半導体層と、 前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、 前記発光層とは反対側の前記第1半導体層の表面の上に設けられた透明電極と、 前記透明電極の上に選択的に設けられた第1電極と、 前記発光層とは反対側の前記第2半導体層の表面に接した第2電極と、 前記透明電極と前記第2電極との間の電流経路の一部を遮断する電流ブロック層であって、前記第2半導体層の表面に対して平行な平面視において、前記薄層部に重ならない前記電流ブロック層と、 を備えたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01L 33/14 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/22

FI (3件)：

H01L33/00 150 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 172

Fターム (20件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041FF11 ,  5F141AA03 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA46 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141FF11

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-040707   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-212932   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-042985   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭47-045480
  
• 特開昭53-076692
  
• 特開昭50-017186
  
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-033940   出願人：スタンレー電気株式会社