特許
J-GLOBAL ID：200903045052387050

窒化物半導体発光ダイオード

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212932
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033512
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 ELOG成長基板のように低転位密度領域と高転位密度領域が交互に存在する基板を用いながら、十分な発光面積を有し、かつ、量子効率やリニアリティに優れた窒化物半導体発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 低転位密度領域34と高転位密度領域32が短周期に交互に存在する窒化物半導体基板16を用いて、両方の領域が各々複数含まれるような大面積にLEDチップを形成し、p電極26の下側に設けた電流障壁層24により低転位密度領域34に電流を集中させる。電流障壁層24は、p電極26とショットキ接合するAlGaN等によって形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、前記p型窒化物半導体層のほぼ全面に形成された金属電極とを有する窒化物半導体発光ダイオードにおいて、前記基板が、低転位密度領域と高転位密度領域が平面方向に交互に存在する窒化物半導体表面を有し、前記高転位密度領域の少なくとも一部の上方に、前記p型窒化物半導体層と前記金属電極の間に挟まれた電流障壁層を有することを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
Fターム (33件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36 ,  5F041FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045DB06
引用特許：
審査官引用 (5件)
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