特許
J-GLOBAL ID：201203085297655643
ハーフミラー基板の製造方法およびハーフミラー基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-150424
公開番号（公開出願番号）：特開2012-013948
出願日： 2010年06月30日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：
【課題】 光の反射率を低下させることなく反りの発生を抑制できるハーフミラー基板の製造方法、およびハーフミラー基板を提供する。 【解決手段】 本実施例のハーフミラー基板1は、PMMA基板10と、PMMA基板10の裏面に形成される反射膜層30と、を有する。反射膜層30は、PMMA基板10表面に形成されてなる金属反射膜(Sn膜31)と、Sn膜31を覆うように形成される保護膜(SiO膜32)と、からなる。Sn膜31の表面には、SnO2を主たる成分とする酸化Sn層33が形成されている。また、SiO膜32は、低い水蒸気バリア性を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ポリメチルメタクリレートまたはポリカーボネートからなるベース基板表面に島状成長してなるSn膜を形成する第1工程と、
前記第1工程において形成された前記Sn膜の表面に、原子状酸素を含む化学種を照射することにより酸化Sn層を形成する第2工程と、
前記酸化Sn層を覆うように低水蒸気バリア性のSiO膜を形成する第3工程と、を備える
ことを特徴とするハーフミラー基板の製造方法。
IPC (4件)：
G02B 1/11
, G02B 5/08
, C23C 14/06
, C23C 16/42
G02B1/10 A
, G02B5/08 A
, C23C14/06 N
, C23C16/42
2H042DA01
, 2H042DA11
, 2H042DA18
, 2H042DB01
, 2H042DC02
, 2K009AA04
, 2K009BB14
, 2K009BB24
, 2K009CC03
, 2K009CC14
, 2K009DD03
, 2K009DD05
, 2K009DD17
, 2K009EE05
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029BA15
, 4K029BA43
, 4K029BC07
, 4K029BD09
, 4K029CA01
, 4K029GA00
, 4K029GA02
, 4K030AA06
, 4K030AA10
, 4K030AA16
, 4K030BA44
, 4K030CA07
, 4K030FA03
, 4K030HA04
, 4K030LA11
