特許
J-GLOBAL ID：201203087052716739
キャパシタ構造体およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-224694
公開番号（公開出願番号）：特開2012-079960
出願日： 2010年10月04日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：
【課題】シリコン基板に設けられた穴の内部に導電体と誘電体を配置することにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体において、穴をより深くしたり、穴の平面形状を複雑な形状とすることなく、導電体間の対向面積を増加させて容量値の増大が実現できるようにする。【解決手段】穴20は、シリコン基板10の一方の主面に開口する有底穴であり、穴20の内部にはシリコン基板10よりなる突起21が設けられ、穴20の底面は、突起21による凹凸面とされており、穴20の内部では、穴20の底面および側面に、これらの面側から第1の導電体31、誘電体40、第2の導電体32が順次積層されているとともに、第1の導電体31および誘電体40は、突起21による凹凸面の形状を承継した層形状とされている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板(10)に設けられた穴(20)の内部にて、第1の導電体(31)と第2の導電体(32)との間に誘電体(40)を介在させることにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体であって、
前記穴(20)は、前記シリコン基板(10)の一方の主面に開口し、他方の主面では閉塞された有底穴であり、
前記穴(20)の内部には、前記シリコン基板(10)よりなり、前記穴(20)の底部側から開口部側に向かって突出する突起(21)が設けられており、
前記穴(20)の底面は、前記突起(21)による凹凸面とされており、
前記穴(20)の内部では、前記穴(20)の底面および側面に、これらの面側から前記第1の導電体(31)、前記誘電体(40)、前記第2の導電体(32)が順次積層されているとともに、前記第1の導電体(31)および前記誘電体(40)は、前記突起(21)による凹凸面の形状を承継した層形状とされており、
これら前記第1の導電体(31)、前記誘電体(40)、前記第2の導電体(32)による積層体によってキャパシタが構成されていることを特徴とするキャパシタ構造体。
IPC (5件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/306
, H01G 4/33
, H01G 4/12
H01L27/04 C
, H01L21/302 105A
, H01G4/06 102
, H01G4/12 394
5E001AB01
, 5E001AC01
, 5E001AC09
, 5E001AH03
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E082AB01
, 5E082EE05
, 5E082EE13
, 5E082EE15
, 5E082EE24
, 5E082EE26
, 5E082EE37
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG27
, 5E082FG42
, 5F004AA04
, 5F004AA05
, 5F004BB13
, 5F004DA18
, 5F004DB01
, 5F004EA03
, 5F004EA05
, 5F004EA06
, 5F004EB05
, 5F038AC05
, 5F038AC10
, 5F038AC14
, 5F038EZ11
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
