劣化解析方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-167131
公開番号（公開出願番号）：特開2012-141278
出願日： 2011年07月29日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：

【課題】高分子材料の劣化状態、特に表面状態の劣化状態について、詳細に解析できる劣化解析方法を提供する。【解決手段】高輝度X線を高分子材料に照射し、X線のエネルギーを変えながらX線吸収量を測定することにより、高分子の劣化状態を解析する劣化解析方法に関する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

高輝度X線を高分子材料に照射し、X線のエネルギーを変えながらX線吸収量を測定することにより、高分子の劣化状態を解析する劣化解析方法。

IPC (2件)：

G01N 23/06 , G01N 23/223

FI (2件)：

G01N23/06 , G01N23/223

Fターム (8件)：

2G001AA01 , 2G001BA04 , 2G001BA11 , 2G001CA01 , 2G001GA01 , 2G001HA13 , 2G001KA03 , 2G001LA05

引用文献：

審査官引用 (3件)

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