電子デバイス、電子デバイス製造方法、電子デバイス製造装置、電界効果トランジスタデバイス、有機電界発光素子及び制御方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前井宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-197593
公開番号（公開出願番号）：特開2012-054490
出願日： 2010年09月03日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：

【課題】低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】本発明による電子デバイスは、電極層と半導体層とが吸着した吸着部を有する電子デバイスであって、前記吸着部において、前記電極層の原子表面と前記半導体層の原子表面との距離は、前記電極層の前記原子表面と前記半導体層の前記原子表面とが安定して吸着する安定吸着距離より短い。前記吸着部への加重によって、前記距離を前記安定吸着距離より短くする加重部を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電極層と半導体層とが吸着した吸着部を有する電子デバイスであって、前記吸着部において、前記電極層の原子表面と前記半導体層の原子表面との距離は、前記電極層の前記原子表面と前記半導体層の前記原子表面とが安定して吸着する安定吸着距離より短い、電子デバイス。

IPC (9件)：

H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 51/05 , H01L 29/06 , H01L 51/50 , H05B 33/10 , H05B 33/26

FI (13件)：

H01L21/28 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L21/28 B , H01L29/28 250E , H01L29/28 370 , H01L29/28 100A , H01L29/06 601N , H05B33/14 A , H05B33/22 A , H05B33/22 C , H05B33/10 , H05B33/26 Z

Fターム (39件)：

3K107AA01 , 3K107CC11 , 3K107CC14 , 3K107DD21 , 3K107DD26 , 3K107DD44X , 3K107DD44Y , 3K107DD71 , 3K107DD74 , 3K107DD83 , 3K107DD84 , 3K107DD85 , 3K107FF15 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB09 , 4M104BB38 , 4M104CC01 , 4M104DD77 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK42

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