特許
J-GLOBAL ID：201203089134990564

ポリシロキサン組成物及びパターン形成方法

発明者：
庵野 祐亮

庵野 祐亮 について

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森 隆

森 隆 について

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出井 慧

出井 慧 について

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高梨 和憲

高梨 和憲 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-156046
公開番号（公開出願番号）：特開2012-036385
出願日： 2011年07月14日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：
【課題】 レジスト下層膜形成用に適し、レジスト膜との密着性に優れるシリコン含有膜を形成することができると共に、耐レジスト現像液性及び耐酸素アッシング性を有し、かつ現像時にレジスト残りが少なく、レジストパターンの形状が良好で倒れが少ないポリシロキサン組成物と、レジストパターンの形状が良好で倒れが少なく、微細化が可能なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 (A)ポリシロキサン、並びに(B)窒素含有複素環構造と、極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種とを有する化合物を含むことを特徴とするポリシロキサン組成物と、酸拡散制御剤を有するポリシロキサン組成物から得られるレジスト下層膜を用いたパターン形成方法を提供する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)ポリシロキサン、並びに (B)窒素含有複素環構造と、極性基及びエステル基から選ばれる少なくとも一種とを有する化合物 を含むことを特徴とする、ポリシロキサン組成物。
IPC (7件)：
C08L 83/04 ,  G03F 7/11 ,  C08K 5/34 ,  C08K 5/04 ,  C08K 3/20 ,  C08G 77/04 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
C08L83/04 ,  G03F7/11 503 ,  C08K5/34 ,  C08K5/04 ,  C08K3/20 ,  C08G77/04 ,  H01L21/30 573
Fターム (60件)：
2H125AE04N ,  2H125AE17N ,  2H125AM85N ,  2H125AN02N ,  2H125AN11N ,  2H125AN29N ,  2H125AN37N ,  2H125AN39N ,  2H125AN51N ,  2H125AN68N ,  2H125AP01N ,  2H125BA02N ,  2H125BA26N ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125DA21 ,  2H125FA03 ,  4J002CP031 ,  4J002CP051 ,  4J002DE027 ,  4J002EH116 ,  4J002EU006 ,  4J002EU026 ,  4J002EU076 ,  4J002EU106 ,  4J002GP03 ,  4J246AA03 ,  4J246AA19 ,  4J246AB14 ,  4J246BA16X ,  4J246BA160 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA249 ,  4J246CA39X ,  4J246CA390 ,  4J246CA399 ,  4J246CA40X ,  4J246CA400 ,  4J246CA409 ,  4J246CA56X ,  4J246CA560 ,  4J246CA569 ,  4J246CA66X ,  4J246CA660 ,  4J246CA669 ,  4J246FA071 ,  4J246FA081 ,  4J246FA121 ,  4J246FA131 ,  4J246FA421 ,  4J246FA441 ,  4J246FA461 ,  4J246FB081 ,  4J246FB211 ,  4J246HA15 ,  5F146NA01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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