特許
J-GLOBAL ID：200903072376636646
レジスト下層膜用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163215
公開番号（公開出願番号）：特開2000-356854
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 レジストと反射防止膜の間に設け、レジストとの密着性と耐レジスト現像液性を兼ね揃え、更にはレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性の有るレジスト下層用組成物を得る。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2)で表される化合物R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方ならびに(B)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2)で表される化合物R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方ならびに(B)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。
IPC (7件)：
G03F 7/11 503
, C08K 5/541
, C08L 83/04
, C08L 83/14
, G03F 7/075 501
, G03F 7/075 511
, H01L 21/027
G03F 7/11 503
, C08L 83/04
, C08L 83/14
, G03F 7/075 501
, G03F 7/075 511
, C08K 5/54
, H01L 21/30 573
2H025AA00
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AA08
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AD01
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025DA35
, 4J002CP021
, 4J002CP031
, 4J002CP051
, 4J002CP081
, 4J002CP091
, 4J002CP141
, 4J002EB106
, 4J002EN136
, 4J002EU186
, 4J002EV216
, 4J002EV236
, 4J002EV296
, 4J002EV326
, 4J002EW176
, 4J002FD206
, 4J002GP03
, 4J002HA05
, 4J002HA08
, 5F046HA01
