特許

J-GLOBAL ID：201203089237882565

グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材

発明者： 成塚 重弥 ,  丸山 隆浩
出願人/特許権者： 学校法人 名城大学
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-131743
公開番号（公開出願番号）：特開2012-144419
出願日： 2011年06月14日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】剥離しにくい電極端子を有する所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。【解決手段】まず、基板本体12を用意し、その基板本体12の全面にNiの結晶層14を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層14をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層16とする。次に、触媒金属層16に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりC原子を供給する。すると、グラフェンは触媒金属層16上に形成されるため、触媒金属層16と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極端子18,20を取り付ける。電極端子18,20は、下地をなすTi層とMo,Ni,Ta及びWからなる群より選ばれた金属を主成分とする保護層とをこの順で積層した構造を持つ。その後、触媒金属層16を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材10として取り出す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)グラフェン化を促進する機能を有する所定形状の触媒金属層を基板本体上に形成する工程と、 (b)前記触媒金属層の表面に炭素源を供給してグラフェンを成長させる工程と、 (c)前記触媒金属層から前記グラフェンをグラフェン素材として取り出す工程と、 を含み、 前記工程(c)で前記グラフェンをグラフェン素材として取り出す前又は後に、下地をなすTi層とMo,Ni,Ta及びWからなる群より選ばれた金属を主成分とする保護層とをこの順で積層した構造を持つ電極端子を形成する、 グラフェン素材の製造方法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (11件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44