特許
J-GLOBAL ID：201203089538492169
p型熱電変換材料及びその製造方法、並びに、熱電変換素子及び熱電変換モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-255852
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129516
出願日： 2011年11月24日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：
【課題】高い熱電性を備えるMg-Si系のp型熱電変換材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】Mg2Siと、下記一般式(1):Mg2X・・・・(1)[式(1)中、Xはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。]で表わされる化合物(I)と、下記一般式(2):XMgSi・・・(2)[式(2)中、Xは式(1)中のXと同義である。]で表わされる化合物(II)とからなり、前記Mg2Siと前記化合物(I)と前記化合物(II)との合計量(合計量a)に対する前記Mg2Siの含有モル比(Mg2Si量/合計量a)が0.005〜0.2であり、前記化合物(I)の含有モル比(化合物(I)量/合計量a)が0.65〜0.99であり、前記化合物(II)の含有モル比(化合物(II)量/合計量a)が0.005〜0.15である焼結体を含有することを特徴とするp型熱電変換材料。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
Mg2Siと、下記一般式(1):
Mg2X ・・・・(1)
[式(1)中、Xはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。]
で表わされる化合物(I)と、下記一般式(2):
XMgSi ・・・(2)
[式(2)中、Xは式(1)中のXと同義である。]
で表わされる化合物(II)とからなり、
前記Mg2Siと前記化合物(I)と前記化合物(II)との合計量(合計量a)に対する前記Mg2Siの含有モル比(Mg2Si量/合計量a)が0.005〜0.2であり、前記化合物(I)の含有モル比(化合物(I)量/合計量a)が0.65〜0.99であり、前記化合物(II)の含有モル比(化合物(II)量/合計量a)が0.005〜0.15である焼結体を含有することを特徴とするp型熱電変換材料。
IPC (7件)：
H01L 35/14
, H01L 35/34
, B22F 3/02
, B22F 3/14
, C22C 24/00
, C04B 35/58
, C04B 35/64
H01L35/14
, H01L35/34
, B22F3/02 P
, B22F3/14 101B
, C22C24/00
, C04B35/58 106Z
, C04B35/64 E
4G001BA48
, 4G001BB48
, 4G001BC01
, 4G001BC11
, 4G001BC12
, 4G001BC13
, 4G001BC41
, 4G001BC44
, 4G001BC46
, 4G001BC52
, 4G001BC54
, 4G001BC55
, 4G001BC57
, 4G001BC63
, 4G001BD01
, 4G001BD21
, 4G001BE01
, 4G001BE11
, 4K018AA40
, 4K018BA07
, 4K018BA20
, 4K018BB04
, 4K018BC12
, 4K018CA02
, 4K018DA13
, 4K018DA31
, 4K018DA32
, 4K018EA21
, 4K018KA32
