特許
J-GLOBAL ID：201203090007286376

イリジウム錯体の製造方法ならびに製造されたイリジウム錯体からなる発光材料

発明者：
今野 英雄

今野 英雄 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-113009
公開番号（公開出願番号）：特開2012-006914
出願日： 2011年05月20日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】 有機電界発光素子材料として好適な芳香族複素環2座配位子を有するシクロメタル化イリジウム錯体を、ハロゲン原子を含まないイリジウム原料から1段階で簡便に収率良く得るための新たな製造方法を提供すること。【解決手段】 酢酸イリジウムと芳香族複素環2座配位子とを反応させることにより、所望のシクロメタル化イリジウム錯体を1段階で簡便に収率良くかつ純度良く得られる。 本発明の方法で得られたイリジウム錯体は、塩化イリジウムを用いた従来の製造方法とは異なり、発光素子の特性に悪影響を与える塩素は残留せず、高耐久性の発光素子を作製できる。また、トリス(2,4-ペンタンジオナト)イリジウム(III)を用いた従来の製造方法と比べて、より低温の穏和な条件で反応を行うことができるので、所望のイリジウム錯体を収率よくかつ簡便に製造することができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酢酸イリジウムとイリジウム-炭素結合を形成しうる芳香族複素環2座配位子とを反応させることを特徴とするシクロメタル化イリジウム錯体の製造方法。
IPC (3件)：
C07F 15/00 ,  C09K 11/06 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
C07F15/00 E ,  C09K11/06 660 ,  H05B33/14 B
Fターム (10件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107BB05 ,  3K107CC45 ,  3K107DD64 ,  3K107DD67 ,  3K107DD69 ,  4H050AA02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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