特許
J-GLOBAL ID:201203090271170858

ショットキー型接合素子とこれを用いた光電変換素子及び太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 平山 一幸 ,  篠田 哲也
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2010055574
公開番号(公開出願番号):WO2010-110475
出願日: 2010年03月29日
公開日(公表日): 2010年09月30日
要約:
無機半導体(3)と有機導電体(4)とが接合されてショットキー接合を有するショットキー型接合素子(1)である。無機半導体(3)が、窒化物半導体、Si、GaAs、CdS、CdTe、CuInGaSe、InSb、PbTe、PbS、Ge、InN、GaSb、SiCの何れかである。太陽電池がこのショットキー型接合素子(1)を用い、光電変換部がショットキー接合を含んで構成されている。光電変換素子がこのショットキー型接合素子(1)を用い、光と電気を相互に変換する変換部がショットキー接合を含んで構成されている。
請求項(抜粋):
無機半導体と有機導電体とが接合されてショットキー接合を有するショットキー型接合素子であって、 上記無機半導体が、窒化物半導体、Si、GaAs、CdS、CdTe、CuInGaSe、InSb、PbTe、PbS、Ge、InN、GaSb、SiCの何れかである、ショットキー型接合素子。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01L 31/108
FI (4件):
H01L31/04 E ,  H01L31/04 L ,  H01L31/04 N ,  H01L31/10 C
Fターム (19件):
5F049MA05 ,  5F049MB02 ,  5F049MB07 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE06 ,  5F049SS01 ,  5F049WA01 ,  5F049WA05 ,  5F151AA01 ,  5F151AA08 ,  5F151AA09 ,  5F151AA10 ,  5F151DA05 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA07 ,  5F151FA18 ,  5F151GA03

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