特許
J-GLOBAL ID：201203092378218988
反射型マスク、およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
金山 聡
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 藤枡 裕実
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-010263
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151368
出願日： 2011年01月20日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】 本発明は、EUV露光用の反射型マスクにおいても、レーザ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有する反射信号を得ることができ、それゆえ、位置精度良く、遮光領域形成用レジストパターンを形成することができる反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】 反射型マスクに形成するアライメントマークを、レーザ描画装置のアライメント光の波長に対し、解像限界以下の微細な線幅および間隔を有するスリット状の構造体で構成して、アライメント光照射における反射信号の強度を小さくすることにより、上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の主面上に形成され、EUV光を反射して第1の反射光を放射する反射層と、前記反射層の上に形成され、前記EUV光の一部を前記第1の反射光とは位相が反転した第2の反射光として放射する吸収体パターンと、
前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記EUV光の反射光の放射を低減するための遮光領域と、
前記遮光領域を形成するためのアライメント描画に用いられるアライメントマークを、少なくとも備えたEUV露光用の反射型マスクであって、
前記アライメントマークが、
前記アライメント描画におけるアライメント光の波長の1/6〜1/4の長さの幅を有する1:1のライン・アンド・スペース・パターンまたは市松模様の凹凸構造体から構成されていることを特徴とする反射型マスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
, H01L21/30 531J
2H095BC05
, 5F046EA03
, 5F046EA05
, 5F046EB02
, 5F046GD10
, 5F146EA03
, 5F146EA05
, 5F146EB02
, 5F146GD00
