特許
J-GLOBAL ID:201203092404553294

導電性に優れるSi系合金負極材料およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 椎名 彊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-105109
公開番号(公開出願番号):特開2012-038708
出願日: 2011年05月10日
公開日(公表日): 2012年02月23日
要約:
【課題】 リチウムイオン2次電池やハイブリットキャパシタなど、充放電時にリチウムイオンの移動を伴う蓄電デバイスの導電性に優れるSi系合金負極材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si相とSiとCuとの金属間化合物であるSixCuy合金からなるSixCuy相の複合相からなる粉体であり、かつSixCuy相の組成がx<yであり、またはSiを主相とするSi相の平均粒径を10μm以下とし、該Si相の少なくとも1部をSixCuy相で取り囲んでなることを特徴とする導電性に優れるSi系合金負極材料。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
Si相とSiとCuとの金属間化合物であるSixCuy合金からなるSixCuy相の複合相からなる粉体であり、かつSixCuy相の組成がx<yであり、また、Siを主相とするSi相の平均粒径を10μm以下とし、該Si相の少なくとも1部をSixCuy相で取り囲んでなることを特徴とする導電性に優れるSi系合金負極材料。
IPC (6件):
H01M 4/38 ,  H01G 9/058 ,  C22C 9/10 ,  C22F 1/00 ,  C22F 1/08 ,  B22F 9/08
FI (10件):
H01M4/38 Z ,  H01G9/00 301A ,  C22C9/10 ,  C22F1/00 621 ,  C22F1/00 604 ,  C22F1/00 661C ,  C22F1/00 661A ,  C22F1/00 681 ,  C22F1/08 B ,  B22F9/08 A
Fターム (24件):
4K017AA04 ,  4K017BA05 ,  4K017BB16 ,  4K017EA03 ,  4K017EB00 ,  4K017EE01 ,  4K017FA08 ,  4K017FA14 ,  5E078AA03 ,  5E078AB01 ,  5E078BA04 ,  5E078BA30 ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050AA12 ,  5H050BA17 ,  5H050CB11 ,  5H050EA10 ,  5H050EA24 ,  5H050FA17 ,  5H050GA02 ,  5H050HA02 ,  5H050HA05 ,  5H050HA19
引用特許:
出願人引用 (4件)
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