特許
J-GLOBAL ID：201203092744436675

グラフェンの製造方法

発明者：
ヴウォヂミエジュ ストルピンスキ

ヴウォヂミエジュ ストルピンスキ について


出願人/特許権者：
インスティチュット・テクノロジー・マテリアルロウ エレクトロニチニック

インスティチュット・テクノロジー・マテリアルロウ エレクトロニチニック について


代理人 (1件)： 石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-121274
公開番号（公開出願番号）：特開2011-256100
出願日： 2011年05月31日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】SiCの表面を含む基板上でのエピタキシ法によるグラフェンの製造方法を提供する。【解決手段】SiCの表面からなる基板3上にエピタキシ法によりグラフェンを製造するにあたり、基板3からのシリコンの昇華9の過程がエピタキシャル反応器を通して不活性ガスや不活性ガス以外のガスの流れによって制御されること。【選択図】図3B
請求項（抜粋）：
SiCの表面からなる基板上にエピタキシ法によりグラフェンを製造するにあたり、基板(3)からのシリコンの昇華の過程がエピタキシャル反応器を通して不活性ガス(10)や不活性ガス以外のガス(12)の流れによって制御されることを特徴とする方法。
IPC (1件)：
C01B 31/02
FI (1件)：
C01B31/02 101Z
Fターム (13件)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD30 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC02 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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