特許

J-GLOBAL ID：201203093059844473

高耐圧半導体装置

発明者： 渡部 善之 ,  本間 史浩 ,  前山 雄介 ,  野間 真樹子 ,  植野 研一郎
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
代理人 (1件)： 松尾 誠剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-048417
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186318
出願日： 2011年03月05日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】従来の高耐圧半導体装置の場合よりも耐圧の低下を抑制することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素からなるn型の半導体層110と、バリアメタル層128と、第2電極層130と、p型のリサーフ層116と、p+型のエッジターミネーション層120と、リサーフ層116の内部における、エッジターミネーション層120の周囲を離間して囲む位置に形成されたp+型の第1ガードリング層122と、半導体層110の表面における、リサーフ層116の周囲を離間して囲む位置に形成されたp型の第2ガードリング層118とを備え、バリアメタル層128におけるフィールドプレート領域128aがリサーフ層116の外側まで延在している高耐圧半導体装置100。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる第1導電型の半導体層と、 前記半導体層の表面上の一部に形成された第1電極層と、 前記半導体層の裏面に形成された第2電極層と、 前記半導体層の表面に形成された第2導電型のリサーフ層と、 前記リサーフ層の内部に形成され、前記第1電極層のうち前記半導体層の表面と接する部分の端部と重なる位置に配置された第2導電型のエッジターミネーション層と、 前記リサーフ層の内部における、前記エッジターミネーション層の周囲を離間して囲む位置に形成され、前記エッジターミネーション層と同程度の不純物濃度を有する1又は2以上の第2導電型の第1ガードリング層と、 前記半導体層の表面における、前記リサーフ層の周囲を離間して囲む位置に形成され、前記リサーフ層と同程度の不純物濃度を有する1又は2以上の第2導電型の第2ガードリング層とを備える高耐圧半導体装置であって、 前記第1電極層は、前記半導体層との間に絶縁層を介して設けられたフィールドプレート領域を有し、 前記フィールドプレート領域は、前記リサーフ層の外側まで延在していることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861

FI (10件)：

H01L29/48 E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/48 D ,  H01L29/44 Y ,  H01L29/48 F ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 D

Fターム (8件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049076   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-090297   出願人：株式会社東芝