半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明 , 山ノ井傑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-046134
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186189
出願日： 2011年03月03日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】半導体装置の構成材料の特性劣化を抑制しつつ、基板とゲート絶縁膜との界面の界面準位密度を効率的に低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法では、基板100上に、ゲート絶縁膜102とゲート電極103とを含むトランジスタを形成する。さらに、基板100上に1層の配線層110を形成する処理と、1層の配線層110を配線パターンに加工する処理を1回以上行うことにより、基板100上に、1層以上の配線層113,115を含む配線構造を形成する。さらに、基板100上に、1層以上の配線層113,115のうちの少なくとも1層の配線層110が配線パターンに加工された後に、基板100上にマイクロ波を照射して基板100のアニールを行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート絶縁膜とゲート電極とを含むトランジスタを形成し、前記基板上に1層の配線層を形成する処理と、前記1層の配線層を配線パターンに加工する処理を1回以上行うことにより、前記基板上に、1層以上の配線層を含む配線構造を形成し、前記基板上に、前記1層以上の配線層のうちの少なくとも1層の配線層が配線パターンに加工された後に、前記基板上にマイクロ波を照射して前記基板のアニールを行う、半導体装置の製造方法。

IPC (14件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 27/088 , H01L 21/823 , H01L 27/108 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/268 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (15件)：

H01L29/78 301Y , H01L29/78 627F , H01L27/08 102A , H01L27/10 621Z , H01L27/10 444A , H01L27/10 448 , H01L27/10 447 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/268 Z , H01L29/78 301F , H01L27/10 444B , H01L45/00 A , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (95件)：

4M119AA17 , 4M119AA19 , 4M119DD33 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119DD52 , 4M119DD55 , 4M119FF05 , 4M119FF16 , 4M119JJ15 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BC06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG11 , 5F048DA23 , 5F083AD02 , 5F083AD15 , 5F083AD21 , 5F083AD69 , 5F083EP02 , 5F083EP17 , 5F083EP23 , 5F083ER22 , 5F083FR02 , 5F083FR05 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083GA29 , 5F083HA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083PR18 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F101BA01 , 5F101BA41 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BF02 , 5F101BH16 , 5F101BH17 , 5F110AA08 , 5F110AA26 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110EE38 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110HL02 , 5F110HL08 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN62 , 5F110NN72 , 5F110QQ24 , 5F140AA06 , 5F140AB01 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140AC33 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140CA06 , 5F140CA10 , 5F140CB04 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC13 , 5F140CC19

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-317243 出願人：大見忠弘
重水素の貯蔵領域および進入パス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-007942 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション

審査官引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-317243 出願人：大見忠弘
重水素の貯蔵領域および進入パス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-007942 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション

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