特許
J-GLOBAL ID:201203094499635783
半導体素子
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-292203
公開番号(公開出願番号):特開2012-142339
出願日: 2010年12月28日
公開日(公表日): 2012年07月26日
要約:
【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第1膜(41)と、該第1膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第2膜(42)と、を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体と、該積層体の外面を被覆する誘電体多層膜と、を備え、
前記誘電体多層膜は、窒化物の第1膜と、該第1膜に接して設けられた酸化ホウ素の第2膜と、を有する半導体素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L33/00 310
, H01L31/10 A
Fターム (29件):
5F041AA44
, 5F041CA14
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA64
, 5F041CA77
, 5F041CB15
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA20
, 5F049PA04
, 5F049QA02
, 5F049SE02
, 5F049SE03
, 5F049SE04
, 5F049SE05
, 5F049SS01
, 5F049SS03
, 5F049SS04
, 5F049SZ03
, 5F049SZ04
, 5F141AA44
, 5F141CA14
, 5F141CA40
, 5F141CA46
, 5F141CA64
, 5F141CA77
, 5F141CB15
引用特許:
前のページに戻る