特許
J-GLOBAL ID:201203095221172924
放射線撮像装置および放射線撮像表示システム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-021362
公開番号(公開出願番号):特開2012-159483
出願日: 2011年02月03日
公開日(公表日): 2012年08月23日
要約:
【課題】画素トランジスタにおける被曝量を軽減することが可能な放射線撮像装置を提供する。【解決手段】放射線撮像装置1は、画素部12において、第1基板11上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部111、絶縁膜112、保護膜113、第2基板114、レンズアレイ115、平坦化膜116およびシンチレータ層117がこの順に設けられている。放射線は、シンチレータ層117において波長変換された後、第2基板114を透過して第1基板11に設けられた光電変換部111へ到達する。波長変換後の光が、フォトダイオードにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号が取得される。第2基板114が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずにシンチレータ層117を透過した放射線が第1基板11へ到達しにくくなる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
第1基板上に画素トランジスタと共に設けられた光電変換素子と、
放射線の波長を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層と、
前記光電変換素子と前記波長変換層との間に設けられ、前記感度域の波長に対して透明性を有すると共に放射線遮蔽機能を有する第2基板と
を備えた放射線撮像装置。
IPC (4件):
G01T 1/20
, H01L 27/146
, H01L 27/144
, H04N 5/32
FI (7件):
G01T1/20 L
, H01L27/14 C
, H01L27/14 K
, G01T1/20 E
, G01T1/20 G
, G01T1/20 C
, H04N5/32
Fターム (32件):
2G088GG14
, 2G088GG19
, 2G088JJ05
, 2G088JJ09
, 2G088JJ29
, 2G088JJ35
, 4C093CA38
, 4C093EB12
, 4C093EB17
, 4C093EB20
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA02
, 4M118CA05
, 4M118CA32
, 4M118CB06
, 4M118CB07
, 4M118CB11
, 4M118CB14
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FB03
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118FB24
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024AX11
, 5C024AX12
, 5C024CY04
, 5C024EX43
, 5C024GX03
引用特許:
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