特許
J-GLOBAL ID：201203096862910220

一軸配向した針状Si3N4粒子を含有するセラミックス焼結板

発明者：
青木 慎介

青木 慎介 について

, 
長瀬 敏之

長瀬 敏之 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (3件)： 影山 秀一 ,  富田 和夫 ,  三宅 正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-106872
公開番号（公開出願番号）：特開2012-236743
出願日： 2011年05月12日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：
【課題】基板の厚みを低減させることなく、放熱性を向上させたパワーモジュール用のセラミックス焼結板を提供する。【解決手段】少なくとも針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、針状Si3N4粒子がC軸配向し、かつ、相対密度が94〜98%であるセラミックス焼結板により、前記課題を解決する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、 前記針状Si3N4粒子がC軸配向し、かつ、相対密度が94〜98%であるセラミックス焼結板。
IPC (4件)：
C04B 35/584 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/36 ,  C04B 35/626
FI (4件)：
C04B35/58 102P ,  H01L23/14 C ,  H01L23/36 C ,  C04B35/58 102S
Fターム (22件)：
4G001BA32 ,  4G001BA61 ,  4G001BB32 ,  4G001BB61 ,  4G001BC02 ,  4G001BC14 ,  4G001BC17 ,  4G001BC21 ,  4G001BC22 ,  4G001BC34 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD03 ,  4G001BD13 ,  4G001BE12 ,  5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136EA14 ,  5F136FA02 ,  5F136FA18 ,  5F136GA31
引用特許：
審査官引用 (5件)
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