特許
J-GLOBAL ID：201203097404993130

半導体光素子

発明者：
朱 雷

朱 雷 について

, 
関口 茂昭

関口 茂昭 について

, 
河口 研一

河口 研一 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 土井 健二 ,  林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-150105
公開番号（公開出願番号）：特開2012-013935
出願日： 2010年06月30日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：
【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。【解決手段】第1クラッド層4と、第2クラッド層6と、第1クラッド層4と第2クラッド層6に挟まれた光導波層8とを有し、光導波層8は、第1半導体層10と、第1半導体層10上に設けられ一方向に延在する第2半導体層12とを有し、第1半導体層10は、第2半導体層12の片側に設けられたn型領域14と、第2半導体層の反対側に設けられたp型領域16と、n型領域14とp型領域16の間に設けられたi型領域18とを有し、第2半導体層12は、第1半導体層10より狭いバンドギャップを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1クラッド層と、第2クラッド層と、前記第1クラッド層と前記第2クラッド層に挟まれた光導波層とを有し、 前記光導波層は、第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられ一方向に延在する第2半導体層とを有し、 前記第1半導体層は、前記第2半導体層の片側に設けられたn型領域と、前記第2半導体層の反対側に設けられたp型領域と、前記n型領域と前記p型領域の間に設けられたi型領域とを有し、 前記第2半導体層は、前記第1半導体層より狭いバンドギャップを有する 半導体光素子。
IPC (2件)：
G02F 1/025 ,  G02B 6/122
FI (2件)：
G02F1/025 ,  G02B6/12 A
Fターム (28件)：
2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB05 ,  2H079HA11 ,  2H147AB02 ,  2H147AB11 ,  2H147AB32 ,  2H147AC02 ,  2H147BA05 ,  2H147BE01 ,  2H147BE22 ,  2H147DA09 ,  2H147EA02B ,  2H147EA12A ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA14C ,  2H147GA10 ,  2H147GA29
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM