半導体光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：土井健二 , 林恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-150105
公開番号（公開出願番号）：特開2012-013935
出願日： 2010年06月30日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：

【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。【解決手段】第1クラッド層4と、第2クラッド層6と、第1クラッド層4と第2クラッド層6に挟まれた光導波層8とを有し、光導波層8は、第1半導体層10と、第1半導体層10上に設けられ一方向に延在する第2半導体層12とを有し、第1半導体層10は、第2半導体層12の片側に設けられたn型領域14と、第2半導体層の反対側に設けられたp型領域16と、n型領域14とp型領域16の間に設けられたi型領域18とを有し、第2半導体層12は、第1半導体層10より狭いバンドギャップを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1クラッド層と、第2クラッド層と、前記第1クラッド層と前記第2クラッド層に挟まれた光導波層とを有し、前記光導波層は、第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられ一方向に延在する第2半導体層とを有し、前記第1半導体層は、前記第2半導体層の片側に設けられたn型領域と、前記第2半導体層の反対側に設けられたp型領域と、前記n型領域と前記p型領域の間に設けられたi型領域とを有し、前記第2半導体層は、前記第1半導体層より狭いバンドギャップを有する半導体光素子。

IPC (2件)：

G02F 1/025 , G02B 6/122

FI (2件)：

G02F1/025 , G02B6/12 A

Fターム (28件)：

2H079AA05 , 2H079AA12 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079EA03 , 2H079EA05 , 2H079EA07 , 2H079EB05 , 2H079HA11 , 2H147AB02 , 2H147AB11 , 2H147AB32 , 2H147AC02 , 2H147BA05 , 2H147BE01 , 2H147BE22 , 2H147DA09 , 2H147EA02B , 2H147EA12A , 2H147EA13A , 2H147EA13C , 2H147EA14B , 2H147EA14C , 2H147GA10 , 2H147GA29

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体光変調器およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-062683 出願人：三菱電機株式会社

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