特許

J-GLOBAL ID：201203098284186746

光電変換素子およびその製造方法

発明者： 内藤 勝之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 藤原 康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-237405
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089786
出願日： 2010年10月22日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】 安定で高効率な光電変換素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の実施形態の光電変換素子は、光電変換層11と、前記光電変換層11の一方の面に配置された炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び/又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極12と、前記光電変換層11の他方の面に配置された陽電極13とを、具備することを特徴とし、また、本発明の実施形態の光電変換素子の製造方法は、炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び/又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極12を基板上に形成する工程と、前記陰電極12上に光電変換層11を形成する工程と、前記光電変換層11の上に陽電極13を作製する工程を、具備することを特徴とする。であることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光電変換層と、前記光電変換層の一方の面に配置された炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び/又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極と、前記光電変換層の他方の面に配置された陽電極とを、具備することを特徴とする光電変換素子。

IPC (4件)：

H01L 51/42 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/10

FI (4件)：

H01L31/04 D ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28 ,  H05B33/10

Fターム (18件)：

3K107AA01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC21 ,  3K107DD22 ,  3K107DD27 ,  3K107DD41X ,  3K107DD41Y ,  3K107FF19 ,  3K107GG28 ,  5F151AA11 ,  5F151CB12 ,  5F151CB13 ,  5F151DA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA10 ,  5F151GA03 ,  5F151GA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機エレクトロニクス素子、有機光電変換素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-062887   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 微細炭素繊維およびそれを用いたバイオデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-086911   出願人：JFEエンジニアリング株式会社