センサ用構造体、容量式センサ、圧電式センサ、容量式アクチュエータ、及び、圧電式アクチュエータ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：奈良泰宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-042937
公開番号（公開出願番号）：特開2012-181050
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間(絶縁体層)で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。【解決手段】基板1は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部1aと、他方の面において、絶縁体層2における基板1の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部1bと、を有したものである。絶縁体層2は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板1の凹部1aの内部に形成されているものである。また、絶縁体層2の厚さは、2μmより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一方の面に凹部が形成された基板と、前記凹部の内部に形成された絶縁体層と、を備え、前記絶縁体層の厚さは、2μmより大きいことを特徴とするセンサ用構造体。

IPC (10件)：

G01P 15/125 , G01L 9/00 , H01L 29/84 , H01L 41/08 , H01L 41/187 , H01L 41/18 , H01L 41/09 , B81B 3/00 , B06B 1/06 , G01P 15/09

FI (11件)：

G01P15/125 Z , G01L9/00 305G , H01L29/84 Z , H01L41/08 Z , H01L41/18 101D , H01L41/18 101Z , H01L41/08 C , H01L41/08 L , B81B3/00 , B06B1/06 Z , G01P15/09 D

Fターム (48件)：

2F055AA40 , 2F055BB01 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE25 , 2F055FF11 , 2F055FF43 , 2F055GG15 , 3C081BA30 , 3C081BA43 , 3C081BA45 , 3C081BA48 , 3C081BA53 , 3C081BA55 , 3C081BA76 , 3C081CA14 , 3C081CA26 , 3C081EA02 , 3C081EA03 , 3C081EA41 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA11 , 4M112CA21 , 4M112CA23 , 4M112CA31 , 4M112DA02 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA05 , 4M112DA11 , 4M112DA15 , 4M112EA02 , 4M112EA03 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA11 , 4M112EA14 , 4M112FA01 , 4M112FA20 , 4M112GA01 , 4M112GA03 , 5D107BB09 , 5D107CC02 , 5D107DD03

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